一、芯片（原材料/存儲(chǔ)芯片/應(yīng)用領(lǐng)域）

1、乾晶半導(dǎo)體與中宜創(chuàng)芯簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研發(fā)現(xiàn)，1月2日，平煤神馬集團(tuán)旗下中宜創(chuàng)芯與乾晶半導(dǎo)體簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將在推進(jìn)行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新、高層次人才培養(yǎng)、以及SiC材料質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)等方面開展合作。乾晶半導(dǎo)體6英寸SiC襯底已經(jīng)通過客戶驗(yàn)證，工藝技術(shù)將轉(zhuǎn)入衢州生產(chǎn)基地開展產(chǎn)業(yè)化，項(xiàng)目擬月產(chǎn)6英寸SiC襯底5千片，計(jì)劃于2024年二季度達(dá)產(chǎn)。同時(shí)，乾晶半導(dǎo)體8英寸SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)于2023年四季度轉(zhuǎn)入蕭山研發(fā)中心進(jìn)行中試。隨著衢州生產(chǎn)基地項(xiàng)目一期到三期的建成達(dá)產(chǎn)，乾晶半導(dǎo)體將逐步實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)60萬片6/8英寸SiC襯底產(chǎn)能。

2、支持7200MT/s速率，瀾起科技宣布推出DDR5第四子代RCD芯片

1月5日，瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片（DDR5 RCD04），該芯片支持高達(dá)7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率，較DDR5第一子代RCD速率提升50%，以應(yīng)對(duì)新一代服務(wù)器平臺(tái)對(duì)內(nèi)存速率和帶寬不斷攀升的需求。除了RCD芯片以外，瀾起科技還提供DDR5數(shù)據(jù)緩沖器（DB）、串行檢測(cè)集線器（SPD Hub）、溫度傳感器（TS）、電源管理芯片（PMIC）等內(nèi)存接口及模組配套芯片。這些芯片也是DDR5內(nèi)存模組的重要組件，可配合RCD芯片為DDR5內(nèi)存模組提供多種必不可少的功能和特性。

3、高速率光芯片及光通信核心器件生產(chǎn)基地項(xiàng)目啟動(dòng)

1月1日，黃石市國資公司按照投資協(xié)議約定，向中科光芯打款2億元。目前，中科光芯（湖北）光電科技有限公司已在黃石完成注冊(cè)，標(biāo)志著由福建中科光芯光電科技有限公司投資建設(shè)的高速率光芯片及光通信核心器件生產(chǎn)基地項(xiàng)目正式啟動(dòng)，預(yù)計(jì)“五一”前建成投產(chǎn)。該項(xiàng)目總投資10億元，將帶動(dòng)黃石光通信產(chǎn)業(yè)鏈突破升級(jí)，填補(bǔ)湖北省高速率光芯片及光通信核心器件領(lǐng)域空白，與武漢中信科集團(tuán)、光迅科技等龍頭企業(yè)形成協(xié)同配套。

二、政策梳理

六部委對(duì)集成電路部分材料免于辦理進(jìn)口許可等證明

【公安部、商務(wù)部、國家衛(wèi)生健康委、應(yīng)急管理部、海關(guān)總署和國家藥品監(jiān)管局發(fā)布《關(guān)于對(duì)含γ-丁內(nèi)酯部分特定產(chǎn)品優(yōu)化服務(wù)管理措施的公告》】12月28日，公安部、商務(wù)部、國家衛(wèi)生健康委、應(yīng)急管理部、海關(guān)總署和國家藥品監(jiān)管局發(fā)布《關(guān)于對(duì)含γ-丁內(nèi)酯部分特定產(chǎn)品優(yōu)化服務(wù)管理措施的公告》，公告明確“對(duì)γ-丁內(nèi)酯含量低于60%（含）的光刻膠、聚酰亞胺取向液、稀釋劑、感光液、防反射薄膜生成液，免于辦理進(jìn)口許可；免于辦理國內(nèi)購買和運(yùn)輸備案證明。”公告自2024年1月1日起施行。

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一、芯片（原材料/存儲(chǔ)芯片/應(yīng)用領(lǐng)域）
1、乾晶半導(dǎo)體與中宜創(chuàng)芯簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
2、支持7200MT/s速率，瀾起科技宣布推出DDR5第四子代RCD芯片
3、高速率光芯片及光通信核心器件生產(chǎn)基地項(xiàng)目啟動(dòng)
二、政策梳理
六部委對(duì)集成電路部分材料免于辦理進(jìn)口許可等證明